气相沉积法可笼统地分为物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）两大类。气相沉积法是将基体放在高温真空室中，将所要沉积的金属制成靶体（PVD）或易挥发物质（CVD）通过物理或化学方法使金属沉积在基体表面上，从而形成以后化学镀所需的活性层。
气相沉积法制得的活性层与基体结合紧密，导致镀层金属与基体的结合也很紧密，且有时可以制得用常规方法难以得到的活性层，但该法通常需要昂贵的高真空设备，没有区域选择性，要求基体耐高温，体积不宜太大，有时还要将镀层金属制成易挥发的物质（通常有毒），因而限制了它在化学镀中的应用。
